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NIST溯(su)源計量法(fa)測，苯乙烯(xi)(xi)(xi)-對苯二烯(xi)(xi)(xi)共聚物DVB尺度(du)標(biao)準微(wei)(wei)粒(li)，用于激(ji)光(guang)散射儀器的(de)驗證。尺度(du)均勻(yun)的(de)苯乙烯(xi)(xi)(xi)-對苯二烯(xi)(xi)(xi)共聚物微(wei)(wei)粒(li)，模擬真實(shi)環(huan)境中顆(ke)粒(li)物的(de)分(fen)布狀況

杜克標(biao)準(zhun)(zhun)粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi) 熱電粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi) 熱電標(biao)準(zhun)(zhun)粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi) thermo粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi) thermo標(biao)準(zhun)(zhun)粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi) 賽默(mo)粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi) 賽默(mo)標(biao)準(zhun)(zhun)粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)飛世爾(er)粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi) 飛世爾(er)標(biao)準(zhun)(zhun)粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi) fisher粒(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)

杜克標準(zhun)粒(li)子(zi) 熱電(dian)粒(li)子(zi) 熱電(dian)標準(zhun)粒(li)子(zi) thermo粒(li)子(zi) thermo標準(zhun)粒(li)子(zi) 賽(sai)默粒(li)子(zi) 賽(sai)默標準(zhun)粒(li)子(zi)飛(fei)世爾粒(li)子(zi) 飛(fei)世爾標準(zhun)粒(li)子(zi) fisher粒(li)子(zi)

NIST溯源尺度(du)(du)標準，用于(yu)需要高度(du)(du)視覺反差的(de)(de)尺度(du)(du)標和(he)參考應用領域。SUR-CAL 為各(ge)種(zhong)硅晶片的(de)(de)表面性狀的(de)(de)檢測和(he)標提供了(le)便利的(de)(de)工具。產(chan)品(pin)的(de)(de)粒徑復合儀器廠家所需的(de)(de)各(ge)種(zhong)規格。SURF-CAL系列產(chan)品(pin)完符合SEMI行(xing)業協會的(de)(de)建立(li)的(de)(de)SSIS標指導(dao)準則， 微粒粒徑縱貫0.047到3.0微米的(de)(de)范圍， 覆蓋了(le)半(ban)導(dao)體技術藍圖(tu)（ITRS）所義(yi)的(de)(de)關(guan)鍵質控點

NIST溯源(yuan)尺度(du)標(biao)(biao)準，用(yong)于需要(yao)高(gao)度(du)視(shi)覺反差的(de)尺度(du)標(biao)(biao)和參考應用(yong)領(ling)域。SUR-CAL 為各(ge)種硅晶片的(de)表(biao)面性狀的(de)檢測和標(biao)(biao)提供了(le)便利的(de)工具。產品的(de)粒徑(jing)復(fu)合儀器廠(chang)家所需的(de)各(ge)種規格。SURF-CAL系列產品完符合SEMI行(xing)業協會的(de)建(jian)立的(de)SSIS標(biao)(biao)指導準則(ze)， 微粒粒徑(jing)縱貫0.047到(dao)3.0微米(mi)的(de)范圍， 覆蓋(gai)了(le)半導體技術藍圖(tu)（ITRS）所義的(de)關鍵質控(kong)點

NIST溯源尺度標(biao)(biao)(biao)準(zhun)，用于需要高度視(shi)覺反差的(de)(de)(de)(de)尺度標(biao)(biao)(biao)和參考應用領域。SUR-CAL 為(wei)各種硅(gui)晶片的(de)(de)(de)(de)表面性(xing)狀的(de)(de)(de)(de)檢測和標(biao)(biao)(biao)提供(gong)了便利的(de)(de)(de)(de)工(gong)具。產品的(de)(de)(de)(de)粒(li)徑(jing)復合(he)儀器廠家所需的(de)(de)(de)(de)各種規(gui)格。SURF-CAL系(xi)列產品完符合(he)SEMI行業協(xie)會的(de)(de)(de)(de)建立的(de)(de)(de)(de)SSIS標(biao)(biao)(biao)指導準(zhun)則， 微(wei)粒(li)粒(li)徑(jing)縱貫0.047到3.0微(wei)米的(de)(de)(de)(de)范圍， 覆蓋(gai)了半導體技(ji)術藍圖（ITRS）所義的(de)(de)(de)(de)關鍵質控點(dian)